Semiconductor Module
Modelování a analýza polovodičových zařízení metodou transportu náboje (charge-carrier transport). Uživatelské rozhraní pro řešení rovnic drift-diffusion pro elektrony a díry. Modul využíva numerické metody konečných prvků a konečných objemů. Modul usnadní práci těm uživatelům, kteří dosud podobné úlohy řešili pracně pomocí (ODE) obyčejných a (PDE) parciálních diferenciálních rovnic.
Oblasti použití:
- Bipolární tranzistory
- PN přechody
- MOSFET a MESFET
- Tyristory
- Schottkyho dioda